簡易檢索 / 檢索結果

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    以Ar/O2感應耦合電漿低溫氧化4H碳化矽初期階段之探討
    • 化學工程系 /110/ 碩士
    • 研究生: 許兆宏 指導教授: 洪儒生 陳良益
    • 本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…
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